長(zhǎng)晶 分類
長(zhǎng)晶(JSCJ) 功率晶體管
名 稱：長(zhǎng)晶(JSCJ) 功率晶體管
品 牌：長(zhǎng)晶(JSCJ)
簡(jiǎn) 述：
功率晶體管是能夠?qū)⑤斎氲碾娏鬓D(zhuǎn)換為輸出的功率。它的工作原理是，當(dāng)電流通過晶體管的接口時(shí)，晶體管內(nèi)部的電子就會(huì)受到電場(chǎng)的作用，從而產(chǎn)生電子流，從而產(chǎn)生功率。
長(zhǎng)晶(JSCJ)
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功率晶體管（射頻功率器件）一般指雙極型功率晶體管。雙極型功率晶體管（bipolarpowertransistor）最普及的一種功率晶體管，通常簡(jiǎn)稱功率晶體管。其中大容量型又稱巨型晶體管，簡(jiǎn)稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件，內(nèi)含數(shù)十至數(shù)百個(gè)晶體管單元。
如圖1是功率晶體管的符號(hào)，其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導(dǎo)體的類型，器件被分成NPN型和PNP型兩種，硅功率晶體管多為前者。
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長(zhǎng)晶功率晶體管主要參數(shù)：
- 集電極電流IC：-10A~10A
- 集電極最大允許耗散功率PCM：0.75W~2W
- 反向擊穿電壓VCBO：-400V~400V
- 反向擊穿電壓VCEO：-400V~400V
- 反向擊穿電壓VEBO：-7.5V~7V
- 最小直流電流增益hFE：10~400
- 最大直流電流增益hFE：50~2000
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