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超級溝槽功率MOSFET：NCEP3065QU新潔能Mos管中文資料/樣品申請/現(xiàn)貨價格

發(fā)布時間：2025-03-12 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：179

NCEP3065QU是由新潔能（NCE）生產(chǎn)的高性能N溝道超級溝槽（Super Trench）功率MOSFET，采用先進的超溝槽技術(shù)，優(yōu)化了高頻開關(guān)性能，能夠有效降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。它適用于高頻開關(guān)和同步整流等應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、通信等領(lǐng)域。以下是超級溝槽功率MOSFET：NCEP3065QU新潔能Mos管中文資料：


NCEP3065QU主要參數(shù)：

  • 漏源電壓（VDS）：30V
  • 連續(xù)漏極電流（ID）：65A
  • 脈沖漏極電流（IDM）：260A
  • 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：1.9mΩ @ VGS=10V；3.0mΩ @ VGS=4.5V
  • 柵源電壓（VGS）：±20V
  • 最大功耗（PD）：550W
  • 單脈沖雪崩能量（EAS）：500mJ
  • 工作溫度范圍：-55℃至150℃

NCEP3065QU性能特點：

  • 低導(dǎo)通損耗：通過超級溝槽（Super Trench）技術(shù)優(yōu)化結(jié)構(gòu)，顯著降低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），減少能量損耗。
  • 高頻開關(guān)性能：低柵極電荷（Qg）和快速開關(guān)速度，適合高頻PWM控制或同步整流應(yīng)用。
  • 高可靠性: 耐高溫和抗沖擊能力強，適用于工業(yè)與汽車電子等嚴苛環(huán)境。
  • 優(yōu)異的封裝：采用DFN3.3X3.3-8L封裝，尺寸僅為3mm x mm毫米，非常適合用于小型電子設(shè)備中，該封裝還具有較好的熱性能，可以幫助器件有效地散熱。
  • 100% UIS TESTED
  • 100% ΔVds TESTED

NCEP3065QU應(yīng)用場景：

  • 電源管理：用于同步整流（如開關(guān)電源、快充設(shè)備），提升轉(zhuǎn)換效率。
  • 電機驅(qū)動：驅(qū)動直流電機或步進電機，支持高電流負載和快速響應(yīng)（如電動工具、工業(yè)自動化）。
  • 電池保護系統(tǒng)：在電池充放電管理電路中作為高端開關(guān)，簡化驅(qū)動設(shè)計并降低功耗。
  • 新能源與汽車電子：適用于車載逆變器、BMS（電池管理系統(tǒng)）及DC-DC轉(zhuǎn)換器，滿足高可靠性和溫度穩(wěn)定性需求。

NCEP3065QU采購信息：

  • 封裝：DFN3.3X3.3-8L
  • 包裝方式：Ø180mm編帶包裝
  • 最小包裝量：5k/盤

南山電子是新潔能公司授權(quán)代理商，歡迎咨詢選購NCEP3065QU MOS管。如需產(chǎn)品詳細的規(guī)格書，請聯(lián)系網(wǎng)站客服。